Перестраивающиеся термодоноры в кремнии

Показано, что долговременная релаксация неравновесной проводимости (ДРНП) в кристаллах Si$\langle\text{O}\rangle$, прошедших термообработку при ${300\div500^{\circ}}$С, обусловлена перестраивающимся термодонором (ПТД), ионизация которого происходит при положении уровня Ферми вблизи $E_{c}{-}0.30$ эВ. ПТД представляет собой двойной донор с отрицательной хаббардовской корреляционной энергией. Определены энергетические уровни ${E_{1}\simeq E_{c}-0.9}$ и ${E_{2}\simeq E_{c}-0.15}$ эВ, соответствующие ионизации первого и второго электронов. Построена количественная модель явления ДРНП.
Высказано предположение, что донорная активность кислородных комплексов, образующихся при термообработке кристаллов Si$\langle\text{O}\rangle$ и Ge$\langle\text{O}\rangle$, обусловлена электронами неподеленных пар.