RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 585–588 (Mi phts1685)

Воздействие гамма-квантов тормозного спектра с максимальной энергией 8$-$1500 МэВ на кремнии

Н. И. Маслов, Г. Д. Пугачев, М. И. Хейфец, В. В. Ганн, Н. Л. Емец, В. А. Ямницкий

Харьковский физико-технический институт АН УССР

Аннотация: Измерена аффективность воздействия гамма-квантов на кремний (коэффициент радиационного повреждении по времени жизни неравновесных носителей заряда) при максимальной энергии тормозного излучении $E^{\max}_{\gamma}$ в интервале от 8 до 1500 МэВ. Точность измерений не хуже 10%.
Экспериментальные результаты сопоставляются с расчетами сечения дефектообразования, полученными методом прямого математического моделирования фотоядерных процессов с использованием каскадной и испарительно-делительной моделей.
Показано, что выше порога фотоядерных реакций основной вклад в сечение дефектообразования вносят высокоэнергетичные первично выбитые атомы (с энергией ${\gtrsim200}$ КэВ).

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 23.03.1983
Принята в печать: 01.09.1983



© МИАН, 2024