RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 589–594 (Mi phts1686)

Проводимость Ge(Sb) в сильных магнитных полях

Г. А. Матвеев, А. Т. Лончаков

Институт физики металлов УНЦ АН СССР

Аннотация: В магнитных полях $H$ до 350 кЭ при 1.8$-$77 K измерены продольное, поперечное магнитосопротивление и эффект Холла в образцах некомпенсированного Ge$\langle\text{Sb}\rangle$ с концентрациями электронов от ${2\cdot10^{17}}$ до ${2.4\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$. Определены значения критических магнитных полей $H_{c}$, соответствующих переходу металл–полупроводник при ${H\parallel[100]}$ и ${H\parallel[110]}$. Предпринята попытка из экспериментальных данных определить значение уровня Ферми $\varepsilon_{F}$ вблизи критической концентрации, а также протяженность примесной зоны ниже дна зоны проводимости. Показано, что около края зоны проводимости поведение гальваномагнитных эффектов не объясняется простой зонной проводимостью. Поэтому, несмотря на то что в области металлической примесной проводимости, согласно полученным данным, уровень Ферми лежит в зоне проводимости, по-видимому, двухзонная модель проводимости применима и в этом случае.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 04.10.1983
Принята в печать: 12.10.1983



© МИАН, 2024