Ионизация электрическим полем атомов фосфора в кремнии

Экспериментально показано, что генерация носителей с примесных уровней в зону может происходить за счет полевой, а не ударной ионизации, если к достаточно короткому полупроводниковому образцу приложить наносекундный импульс высокого напряжения. Эксперименты проведены на образцах Si : Р с блокирующими и $n^{+}{-}n$-контактами. Найдено, что время туннелирования электронов с основного уровня фосфора, глубина которого 45.6 мэВ, в полях 16$-$20 кВ/см лежит в наносекундном диапазоне.