Диоды Шоттки на основе компенсированного $p$-InP

На диодах Шоттки Au/$p$-InP, созданных на основе компенсированных кристаллов с ${p=2\div7)\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$, измерены вольтамперные (ВАХ), вольтъемкостные (ВЕХ) характеристики, а также спектральная фоточувствительность (СФ) при 295 и 104 K. Показано, что в механизме токопрохождения помимо термоэлектронного необходимо учитывать генерационно-рекомбинационный ток, причем при 104 K последний становится преобладающим. Высота барьера ${\Phi_{b}=0.5\div0.6}$ эВ и ее бо́льшая величина, вероятно, определяется образованием окисного слоя. Особенности СФ в собственной области поглощения при 104 K объяснены с учетом вклада в полный ток генерационно-рекомбинационной компоненты и вклада в фототок фотоносителей из спин-орбитально расщепленной валентной подзоны.