Свойства гетеропереходов $p$-Si${-}n$-GaAs, полученных методом лазерной вакуумной эпитаксии

Исследованы вольтамперные и вольтфарадные характеристики, а также спектры фоточувствительности гетеропереходов Si$-$GaAs, полученных выращиванием методом лазерной вакуумной эпитаксии на подложках кремния (КДБ-10) пленок арсенида галлия толщиной ${2000\div5000}$ Å. Концентрация электронов в слое GaAs составляла величину ${\sim10^{16}\,\text{см}^{-3}}$, подвижность ${\sim860\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$.
Результаты проанализированы в рамках зонной диаграммы гетероперехода $p$-Si${-}n$-GaAs.