RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 628–630 (Mi phts1694)

« Холодная» кристаллизация аморфизованного кремния при облучении ионами бора

И. А. Аброян, Л. М. Никулина

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина

Аннотация: Исследовано влияние бомбардировки ионами бора на образцы кремния, предварительно сильно разупорядоченные ионами аргона. Наблюдались восстановление нарушенной структуры вблизи поверхности и кристаллизация аморфизованного кремния в приповерхностной области при температурах облучения, не превышающих 40$^{\circ}$С.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 29.12.1982
Принята в печать: 14.11.1983



© МИАН, 2024