Исследование эффективности излучательной рекомбинации структур из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$

Определены значения внутреннего квантового выхода излучательной рекомбинации в светодиодных структурах из GaAs$\langle\text{Si}\rangle$ в зависимости от концентрации легирующей примеси Si. Различие значений внутреннего квантового выхода электро- и фотолюминесценции связывается с различием механизмов рекомбинации этих процессов в сильно легированном компенсированном материале. Зависимость внутреннего квантового выхода и распределения интенсивности электролюминесценции от уровня инжекции при достаточно низких температурах объясняется насыщением заселенности глубоких состояний в хвостах.