RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 639–647 (Mi phts1697)

Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре I.  Теория

Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Построена теория циркулярного фотогальванического эффекта в теллуре. Проанализированы механизмы этого эффекта, обусловленные непрямыми оптическими переходами свободных носителей с виртуальными состояниями в других зонах и прямыми переходами между различными ветвями валентной зоны.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.11.1983
Принята в печать: 14.11.1983



© МИАН, 2024