RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 730–732 (Mi phts170)

Краткие сообщения

Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области поглощения

И. М. Колдаев, В. В. Лосев, Б. М. Орлов, Н. Д. Рухадзе

Московский институт электронной техники

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 06.11.1984
Принята в печать: 07.10.1985



© МИАН, 2024