Об отрицательной емкости фоточувствительного полупроводника

На основе модели фоточувствительного полупроводника типа A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ проведен расчет емкости продольного фотопроводника с учетом неоднородности оптической генерации и различных типов контактов. Показано, что неоднородная оптическая генерация приводит к изменениям вида вольтфарадных характеристик и, в частности, к инверсии знака емкости с ростом напряжения. Последнее представляет интерес в связи с возможностью использования данного эффекта при разработке твердотельных аналогов индуктивности. Предложен механизм, объясняющий смену знака емкости, обусловленную неоднородностью оптической генерации.