RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 680–684 (Mi phts1704)

О природе радиационных нарушений при бомбардировке кремния ионами бора

И. Н. Смирнов, А. И. Пономарев, В. Н. Щемелев

Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова

Аннотация: Профили деформации монокристаллов кремния, подвергнутых бомбардировке ионами бора с энергией 130 кэВ, получены из экспериментальных угловых зависимостей отражения рентгеновского излучения и выхода фотоэлектронов. Смещение максимума деформация при изменениях плотности потока ионов использовано для оценок времени жизни неустойчивых радиационных дефектов и времени перехода кристалла в стационарное состояние после облучения.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.06.1983
Принята в печать: 26.11.1983



© МИАН, 2025