Электромодуляционные эффекты в рассеянии света в переходном неоднородном слое на границе металл–полупроводник

Рассмотрен эффект усиления комбинационного рассеяния света локальными модами примесных атомов в переходном неоднородном слое на границе раздела металл–полупроводник. Усиление возникает при определенных диэлектрических свойствах контактирующих сред, и коэффициент усиления может достигать значения ${\sim10^{3}}$. Физической причиной эффекта усиления является возрастание нормальной составляющей напряженности электрического поля электромагнитной волны в области, в которой реальная часть диэлектрической проницаемости обращается в нуль. Показано, что при изменении подаваемого на контакт металл–полупроводник постоянного напряжения можно смещать область максимального поля в пределах переходного слоя и тем самым управлять эффектом усиления рассеяния света.