Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ti

Методом квазистатических вольтфарадных характеристик определен энергетический спектр уровней дефектов в приповерхностном слое Si $n$- и $p$-типа структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Tl и подвергнутых изохронному отжигу в интервале $300{-}900^{\circ}$С. Показано, что при использовании доз имплантации ${3\cdot10^{10}{-}3\cdot10^{11}\,\text{см}^{-2}}$ возникали дефекты, характерные для имплантации других ионов (Si, Ar, Ti). Определена минимальная температура, равная $500^{\circ}$С, необходимая для отжига дефектов.