Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar

Проведено сравнительное исследование катодолюминесценции (КЛ) в $6H$-SiC, содержанием ионно-имплантированные Аl и Аr, до и после диффузии бора. Измерения проводились в интервале температур ${80\div400}$ K при энергии бомбардирующих электронов до 25 кэВ. Измерены спектры КЛ при 84, 300 K и различных энергиях электронов в падающем пучке, распределение интенсивности КЛ в зависимости от глубины проникновения электронов и температурные зависимости КЛ.
Показано, что в присутствии имплантированного Аl происходит увеличение коэффициента диффузии бора, а имплантированный Аr не меняет диффузионных параметров бора в SiC. Предполагается, что радиационно-стимулированная диффузия отсутствует, так как дефекты, вводимые при имплантации и ускоряющие диффузионный процесс, отжигаются при исследованных режимах постимплантационного отжига. Увеличение коэффициента диффузии бора в присутствии ионно-имплантированного Аl происходит так же, как в материале без радиационных дефектов, т. е. благодаря углеродным вакансиям, которые генерируются алюминием в SiC.
Остаточные радиационные дефекты в слоях, имплантированных Аr, способствуют активации высокотемпературной желтой «борной» люминесценции в $6H$-SiC.