RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 734–736 (Mi phts172)

Краткие сообщения

Релаксация электросопротивления моностабильной переключающей структуры в низкоомном состоянии

А. К. Огинскас, К. И. Гашка, А. А. Чеснис

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 09.07.1985
Принята в печать: 07.10.1985



© МИАН, 2024