RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 4,
страницы
734–736
(Mi phts172)
Краткие сообщения
Релаксация электросопротивления моностабильной переключающей структуры в низкоомном состоянии
А. К. Огинскас
,
К. И. Гашка
,
А. А. Чеснис
Институт физики полупроводников АН ЛитССР
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
09.07.1985
Принята в печать:
07.10.1985
Полный текст:
PDF файл (376 kB)
©
МИАН
, 2024