RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 4,
страницы
757–758
(Mi phts1729)
Краткие сообщения
Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (
${T=300}$
K,
${\lambda=0.70{-}0.66}$
мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)
Ж. И. Алфёров
,
И. Н. Арсентьев
,
Л. С. Вавилова
,
Д. З. Гарбузов
,
А. В. Тикунов
,
Р. С. Игнаткина
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
08.12.1983
Принята в печать:
14.12.1983
Полный текст:
PDF файл (276 kB)
©
МИАН
, 2024