Баллистический и квазибаллистический транспорт в полупроводниковых структурах

Проведен анализ работ, посвященных теоретическому, численному и экспериментальному исследованию электронных явлений в полупроводниковых структурах при баллистическом и квазибаллистическом движении носителей заряда. Рассмотрены классические эффекты, связанные с соизмеримостью длины релаксации импульса носителей заряда и характерных размеров структур. Диодные и транзисторные структуры в условиях баллистического и квазибаллистического транспорта могут обладать нетривиальными свойствами. Потенциальные возможности таких структур делают их перспективными для устройств твердотельной электроники сверхвысоких частот и вычислительной техники.