Исследование с помощью режима индуцированного тока в РЭМ эпитаксиальных гетероструктур в системе Al$-$Ga$-$As

Проведено исследование природы электрически активных дефектов в гетероструктурах GaAs$-$AlGaAs, выявляемых в РЭМ в режиме тока, индуцированного электронным зондом. Сделано предположение, что дефектами эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Ge, которые наблюдаются на растровых картинах в виде темных пятен диаметром порядка 250 мкм, являются микровключения Ga размерами $0.1{-}0.2$ мкм. Показано, что дефекты, которым соответствуют пятна диаметром $20{-}300$ мкм, меняющие свой контраст в зависимости от ускоряющего напряжения, представляют собой дискообразные пограничные включения твердого раствора AlGaAs в слое GaAs. Предложена модель формирования контраста темных пятен. Рассмотрен механизм образования дефектов.