RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 5, страницы 797–801 (Mi phts1737)

Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках III.  Сопоставление с экспериментом

В. И. Фистуль, М. И. Синдер

Московский институт тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Приведен экспериментальный пример диффузии фосфора в кремний, качественно согласующийся с ранее развитой теорией, описывающей приповерхностные примесные профили с учетом образования подвижных комплексов из диффундирующих компонентов.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 09.11.1983
Принята в печать: 14.11.1983



© МИАН, 2024