Электрические свойства $p{-}n$-переходов на основе пленок теллурида свинца

Изучен характер изменения вольтамперных характеристик (ВАХ) $p{-}n$-структур в зависимости от температуры и соотношения концентраций носителей заряда по обеим сторонам перехода. Структуры сформированы путем последовательной конденсации в едином технологическом цикле роста пленок теллурида свинца $p$- и $n$-типа электропроводности на подложку из объемного монокристалла Pb$_{0.8}$Sb$_{0.2}$Te. Показано, что прямые и обратные ветви ВАХ $p{-}n$-переходов с концентрациями носителей заряда ниже ${5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ хорошо аппроксимируются функциями вида ${I=I_{0}\exp(qU/\beta kT)}$ и ${I=AU^{c}}$ с коэффициентами ${\beta=1.35\div1.7}$ и ${c= 0.2\div0.5}$. Величины коэффициентов $\beta$ и $c$, так же как температурные зависимости дифференциального сопротивления диода при нулевом смещении, свидетельствуют о приблизительно равном вкладе диффузионного и генерационно-рекомбинационного механизмов протекания тока в общий ток через переход. Увеличение концентрации носителей заряда выше $10^{18}\,\text{см}^{-3}$ приводит к появлению в обратных ветвях ВАХ участков, соответствующих туннельному пробою $p{-}n$-перехода.