Особенности фотоэлектрических характеристик $n{-}p$-перехода в сильных боковых электрических полях

Исследовано влияние освещения на ВАХ $n{-}p$-перехода, в котором вдоль границы $n$- и $p$-областей направлено сильное электрическое поле. Оказалось, что в этом случае ВАХ $n{-}p$-перехода сдвигается либо в сторону положительных, либо в сторону отрицательных напряжений, так что в различных условиях наблюдаются положительные и отрицательные фототоки. Изучены условия смены знака фототока. Этот эффект наблюдается и в спектральной зависимости фоточувствительности $n{-}p$-перехода. Дано объяснение обнаруженных эффектов.