Фотоэффект в полупроводнике с большими значениями внутренней квантовой эффективности

Показано, что эффект самопоглощения рекомбинационного излучения существенно изменяет характер диффузии неравновесных носителей заряда вблизи поверхности полупроводника только при достаточно больших значениях внутренней квантовой эффективности, близких к 100%. При этом возникают новые диффузионные моды с фотонным переносом носителей заряда. Характерные длины этих мод значительно превосходят обычную диффузионную длину, в связи с чем квантовый выход фотоэффекта становится немалым уже вблизи порога поглощения.