Особенности высокочастотных свойств баллистических биполярных гетеротранзисторов

Исследуются высокочастотные свойства биполярных транзисторов на основе гетероструктур (гетеротранзисторов) при баллистическом движении электронов через базу и коллекторный переход. Предполагается квазинейтральность базы. Используется бесстолкновительное кинетическое уравнение для электронной функции распределения с граничным условием, определяемым инжекцией электронов из широкозонного эмиттера в базу.
Найдены частотные зависимости коэффициента переноса тока через базу и коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. Определены соответствующие граничные частоты.