Низкотемпературная прыжковая проводимость в сильных электрических полях. Численный эксперимент на ЭВМ

С помощью моделирования на ЭВМ найдены вольтамперные характеристики (ВАХ) полупроводника в области прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка и в низкотемпературной части области $\varepsilon_{3}$-проводимости. Рассмотрена общепринятая при описании прыжковой проводимости в аморфных полупроводниках модель, в которой плотность состояний вблизи уровня Ферми постоянна, а кулоновским взаимодействием электронов пренебрегается. Сравнение результатов расчета с экспериментальными данными для $a$-Ge, $a$-Sb и $a$-As показало, что фактическая неомичность ВАХ значительно слабее расчетной, что, по-видимому, означает, что модель с постоянной плотностью состояний не пригодна для описания этих веществ и необходимо учитывать рост плотности состояний при удалении от уровня Ферми. С другой стороны, расчетные ВАХ оказались в разумном согласии с данными по $\varepsilon_{3}$-проводимости в легированном кристалле Ge$_{1-x}$Si$_{x}$, где разброс уровней создается флуктуациями состава раствора и тем самым роль кулоновского взаимодействия ослаблена.