RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 742–744 (Mi phts175)

Краткие сообщения

Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры облучения

П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница

Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.07.1985
Принята в печать: 16.10.1985



© МИАН, 2024