Межзонные фотоакустоэлектронные эффекты в полупроводниках

Рассмотрены поглощение звука, поперечный акустоэлектрический, акустомагнитоэлектрический (продольный и планарный) эффекты при взаимодействии высокочастотной звуковой волны (${ql\gg 1}$) с электронами, возбужденными из валентной зоны в зону проводимости линейно поляризованной электромагнитной волной. Учитываются асимметрия фотовозбуждения и оптическое выстраивание импульсов электронов. Особо рассмотрен случай полупроводника типа $p$-GaAs с концентрацией дырок ${N_{h}\gtrsim2\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, когда существенным становится рассеяние электронов тяжелыми дырками с превращением последних в легкие. В этом случае возможно значительное усиление гиперзвука.