ИК поглощение в кремнии, облученном большими дозами нейтронов

Выполнены измерения оптического поглощения в интервале $1{-}25$ мкм, а также электропроводности в бескислородном высокоомном кремнии, облученном большими интегральными потоками реакторных нейтронов при разных температурах. В образцах, облученных при ${\sim200^{\circ}}$С, с увеличением дозы нейтронов от ${5\cdot10^{18}}$ до ${2.5\cdot10^{20}\,\text{н}/\text{см}^{2}}$ наблюдается уменьшение поглощения, обусловленного различными типами радиационных дефектов. В образцах, облучавшихся теми же дозами при ${\sim70^{\circ}}$С, поглощение, обусловленное радиационными дефектами, увеличивается с ростом дозы в согласии с данными других исследователей.
На основании результатов измерения оптического поглощения и электропроводности после облучения и в процессе изохронного отжига от 200 до $1200^{\circ}$С предполагается, что при температуре ${\sim200^{\circ}}$С возникающие при облучении радиационные дефекты различного типа, взаимодействуя между собой и с дефектами решетки исходного материала, образуют ассоциаты, не дающие вклада в оптическое поглощение в исследованной области спектра и служащие стоками для вновь образующихся радиационных дефектов.