RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 5, страницы 902–912 (Mi phts1756)

Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр

В. В. Евстропов, К. В. Киселев, И. Л. Петрович, Б. В. Царенков

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Получено простое по конструкции общее выражение для стационарной скорости рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр для модели центра, предложенной Шокли, Ластом и Саа.
При рассмотрении зависимости скорости рекомбинации от концентраций носителей $n$ и $p$ как функции двух независимых переменных структура общего выражения позволяет разбить плоскость ($n,p$) на области, внутри которых функция упрощается до произведения целых степеней $n$ и $p$. В результате этого функция графически представляется совокупностью плоскостей в прямоугольных координатах при использовании тройного логарифмического масштаба.
Скорость рекомбинации проанализирована для двух частных моделей рекомбинационного центра. Для модели, в которой все уровни многоуровневого центра идентичны, графический вид функции не зависит от числа уровней, совпадая с графическим видом функции Шокли–Рида для одноуровневого центра, и определяется совокупностью шести плоскостей. Согласно другой модели, центр имеет две группы уровней, идентичных внутри каждой группы; одна группа уровней расположена вблизи центра запретной зоны, а другая — вблизи дна зоны проводимости, причем сечение захвата электронов для мелких уровней значительно больше, чем для глубоких, а соответствующие сечения захвата дырок одинаковы. В этом случае графический вид функции отличается от случая идентичности всех уровней наличием двух дополнительных плоскостей и определяется совокупностью восьми плоскостей.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.12.1983
Принята в печать: 19.01.1984



© МИАН, 2024