RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 981–985 (Mi phts1782)

Изменение электрических свойств монокристаллов твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_{x}$, вызванное их облучением

Н. А. Ухин, М. Я. Бакиров, А. К. Абиев, Ш. М. Аббасов, Г. М. Гасумов

Институт радиационных проблем НАН Азербайджана

Аннотация: На основании экспериментальных результатов и анализа опубликованных данных по облучению образцов твердого раствора германия с кремнием предложена модель радиационных процессов в этих материалах. Модель базируется на представлении о структурной неоднородности твердых растворов, состоящих из областей, обогащенных либо кремнием, либо германием. Граница раздела между этими областями служит эффективным стоком для междоузельных атомов, образующихся в процессе облучения. Интенсивное их поглощение и обогащение объема свободными вакансиями определяют особенности радиационных процессов в твердых растворах германия с кремнием.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 11.11.1983
Принята в печать: 07.12.1983



© МИАН, 2024