Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор электронов проводимости в HgMnSe

Исследовано поперечное магнитосопротивление кристаллов Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se с концентрациями электронов ${n_{1}=3\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ (${x=0.01}$) и ${n_{2}=1\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ (${x=0.12}$) в импульсных (до 37  Т) магнитных полях в интервале температур 1.7$-$77 K. Обнаружена аномальная температурная зависимость положения первого со стороны квантового предела осцилляционного максимума.
Получены зависимости $g$-фактора электронов проводимости от температуры, определены знак и величина обменного параметра.