RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 994–999 (Mi phts1785)

Модель процесса взаимодействия первичных радиационных дефектов с атомами золота в кристаллах германия

Н. Ф. Голубев, А. В. Латышев

Белорусский политехнический институт

Аннотация: Для кристаллов легированного золотом германия в случае облучения электронами с энергией 10 МэВ (${T_{\text{обл}}=360\div380}$ K) проведен анализ схемы возможных квазихимических реакций взаимодействия вакансий ($V$) и собственных междоузельных атомов (Ge$_{i}$) с атомами золота в узлах (Аu$_{s}$) кристаллической решетки. Расчет кинетики накопления комплексов выполнен для различных соотношений между константами взаимодействия элементарных дефектов с примесями. На основании полученных экспериментальных данных и результатов расчетов показано, что вGe$\langle\text{Au}\rangle$ при облучении могут накапливаться комплексы примесь–вакансия (Au$_{s}V$), примесь–дивакансия (Au$_{s}VV$), примесь–междоузельный атом (Au$_{s}$Ge$_{i}$). Взаимодействие комплексов Au$_{s}VV$ с междоузельными атомами приводит к аннигиляции пары $V{-}\text{Ge}_{i}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.10.1983
Принята в печать: 15.12.1983



© МИАН, 2024