Аннотация:
Для кристаллов легированного золотом германия в случае облучения электронами с энергией 10 МэВ (${T_{\text{обл}}=360\div380}$ K) проведен анализ схемы возможных квазихимических реакций взаимодействия
вакансий ($V$) и собственных междоузельных атомов (Ge$_{i}$) с атомами золота в узлах (Аu$_{s}$) кристаллической решетки. Расчет кинетики накопления комплексов выполнен для различных соотношений между константами
взаимодействия элементарных дефектов с примесями. На основании полученных экспериментальных данных и результатов расчетов показано, что вGe$\langle\text{Au}\rangle$ при облучении могут накапливаться комплексы
примесь–вакансия (Au$_{s}V$), примесь–дивакансия (Au$_{s}VV$), примесь–междоузельный атом (Au$_{s}$Ge$_{i}$).
Взаимодействие комплексов Au$_{s}VV$ с междоузельными атомами приводит к аннигиляции пары $V{-}\text{Ge}_{i}$.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 10.10.1983 Принята в печать: 15.12.1983