Фотопроводимость в кристаллах двуокиси олова

Исследовано спектральное распределение фототока в кристаллах SnO$_{2}$ в области края межзонного перехода при постоянном и модулированном освещении. В спектрах фототока при 77 K обнаружена структура, соответствующая спектру экситонного поглощения. В зависимости от условий возбуждения фоточувствительность за краем поглощения либо уменьшается, либо сохраняет максимальное значение. Фоточувствительность SnO$_{2}$ падает при охлаждении кристалла до 4 K, и экситонная структура в фототоке исчезает. Возбуждение в область экситонного поглощения в полях более 200 В/см при 4 K приводит к пробою по мелким примесным состояниям.