Накопление и отжиг глубоких центров в арсениде галлия при облучении нейтронами и $\alpha$-частицами

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовались накопление и отжиг радиационных дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) GaAs при облучении нейтронами и $\alpha$-частицами. Показано, что эффективности накопления радиационных дефектов в НО и ОПЗ при облучении нейтронами не различаются. Получена зависимость сдвига кривой изохронного отжига центров $E3$ в ОПЗ относительно аналогичной кривой для НО от средней энергии первично смещенных атомов. Показано, что величина второй стадии отжига центров $E3$ в НО GaAs, облученного нейтронами и $\alpha$-частицами, больше, чем в случае облучения протонами 10 МэВ и $\gamma$-квантами.