Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями в соединении типа A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

Проведены измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения свободными носителями для трех соединений типа A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$: арсенида индия, арсенида галлия и антимонида индия, легированных теллуром до концентраций ${10^{16}\div10^{20}}$, ${10^{16}\div10^{19}}$ и ${10^{14}\div10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ соответственно. Показано, что концентрационная зависимость углового коэффициента $n$ имеет разрыв для каждого из исследованных соединений при определенном значении концентрации носителей. При возрастании концентрации электронов от уровня слабого легирования до ${N\simeq10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ доминирующее рассеяние на колебаниях решетки сменяется рассеянием на ионах примеси. Дальнейшее увеличение концентрации носителей вновь приводит к преимущественному рассеянию электронов на колебаниях решетки, что связывается с упорядочением примесей.