RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1016–1020 (Mi phts1790)

Биполярная фотопроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge$-$Pb$-$S

С. Д. Барановскийab, Г. А. Бордовскийb, Л. П. Казаковаba, Э. А. Лебедевa, В. М. Любинab, Н. А. Савинова

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
b Ленинградский государственный педагогический институт им. А. И. Герцена

Аннотация: Изучены спектральные, люксамперпые, температурные и кинетические характеристики фотопроводимости халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) системы Ge$-$Pb$-$S, показавшие ряд отличий от соответствующих характеристик ранее изученных мышьяксодержащих ХСП. Установлено, что необычными для ХСП системы Ge$-$Pb$-$S являются бимолекулярная рекомбинация и биполярная фотопроводимость. Последнее подтверждено результатами непосредственного изучения дрейфа неравновесных носителей заряда. Различие в характере электронных процессов в двух группах ХСП обсуждается на основе различного строения разрешенных зон.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.12.1983
Принята в печать: 28.12.1983



© МИАН, 2024