RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1021–1024 (Mi phts1791)

Исследование скорости ударной ионизации в Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te

Е. В. Богданов, Н. Б. Брандт, Л. С. Флейшман

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Для Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te $n$-типа получены зависимости скорости $g$ ударной ионизации от напряженности электрического поля при температурах 4.2 и 77 K. Установлено, что в исследованном интервале электрических полей величина $g$ уменьшается с ростом температуры. При 4.2 K наблюдалось немонотонное изменение $g$ как в продольном, так и в поперечном магнитном поле: первоначальный рост сменяется падением в больших магнитных полях.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 09.12.1982
Принята в печать: 05.01.1984



© МИАН, 2024