Фотонный механизм распространения включенного состояния в тиристоре из арсенида галлия

Рассмотрен фотонный механизм распространения включенного состояния в тиристоре в приближении распространения фотонов в двух противоположных направлениях. Найдена максимальная скорость распространения включенного состояния в пренебрежении диффузионным и полевым механизмами. Показано, что максимальная скорость обратно пропорциональна коэффициенту поглощения света и может значительно превышать соответствующие значения для традиционных механизмов. Отмечено наличие целой области значений концентрации носителей во включенной части тиристора, при которых скорость распространения равна нулю. Это связано с возможностью существования крутых фронтов электронной плотности.