Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP

Исследовалась зависимость прямого тока $I$ от напряжения на слое объемного заряда $V_{j}$ для $p{-}n$-гетероструктур InGaAsP/InP с узкозонной активной областью InGaAsP (${E_{g}=0.8}$ и 0.95 эВ при 300 K) в диапазоне плотностей тока $10^{-6}{-}10^{3}\,\text{А}/\text{см}^{2}$ и температур $77{-}400$ K в процессе дефектообразования в результате длительного пропускания прямого постоянного тока 300 мА.
Установлено, что при таком дефектообразовании происходит рост во времени трех компонент тока туннельного типа, две из которых степенные и не наблюдались ранее в гетероструктурах AlGaAs/GaAs. Для туннельных компонент температурный коэффициент ${q\,\frac{\Delta V}{\Delta T}\bigm|_{I=\text{fix}}\simeq10^{-3}}$ эВ/K примерно равен температурному коэффициенту ширины запрещенной зоны активной области.