Вольтамперная характеристика диода Шоттки

При сделанных допущениях о параболичности вершины потенциального барьера и о больцмановском распределении электронов в районе максимального токопрохождения через барьер получено достаточно общее аналитическое выражение ВАХ диода Шоттки. Оценена область его применимости. Рассмотрены механизмы токопрохождения и определены их границы. Результаты сравнения с экспериментальными данными и имеющимися в настоящее время теоретическими ВАХ на примере кремниевого диода Шоттки показывают их хорошее согласие.