Термополевое гашение экситонной фотопроводимости в GaSe$\langle\text{Ge}\rangle$

Исследованы ВАХ и фотопроводимость монокристаллов GaSe$\langle\text{Ge}\rangle$ в широком интервале температур при лазерном излучении с длиной волны 0.63 мкм. Установлено, что термополевое гашение экситонной фотопроводимости приводит к образованию $N$-участков на ВАХ.