RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1046–1051 (Mi phts1797)

Влияние неизотермичности среды на оптические процессы с участием свободных носителей тока

Н. В. Фомин

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина

Аннотация: Методом кинетического уравнения рассмотрено влияние градиента температуры ($\nabla T_{e}$) на анизотропную часть распределения носителей тока в невырожденном полупроводнике. Показано, что это влияние на оптическое поглощение может быть заметным при ${\bigl\langle\bigl(l\,\frac{\nabla T_{e}}{T_{e}}\bigr)^{2}\bigr\rangle (\alpha d)\approx1}$, где $l$ — длина свободного пробега носителя, $\alpha$ — коэффициент поглощения мощности, $d$ — длина оптического пути в веществе. Показана также возможность изменения оптических свойств при комбинированном воздействии градиента температуры и постоянного электрического поля. Так как возможный в этом направлении эксперимент предусматривает применение оптического излучения повышенной интенсивности, рассмотрено влияние собственного поля волны на анизотропию распределения. Найдено, что сопутствующий эффект самовоздействия может проявляться при интенсивности излучения в среде $I\approx \bigl\langle\bigl(l\,\frac{\nabla T_{e}}{T_{e}}\bigr)^{2}\bigr\rangle I^{*}, I^{*}= 10^8 n \bigl(\frac{m^*}{m}\bigr)\bigl(\frac{\omega}{10^{15}}\bigr)^2 T_{e}, n$ — показатель преломления, $m^*$ — эффективная масса носителей тока.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 21.06.1983
Принята в печать: 24.01.1984



© МИАН, 2024