Фотопроводимость слабо компенсированного Si$\langle\text{In}\rangle$ на длине волны 10.6 мкм за счет ионизации $X$-центров

Показано, что фотопроводимость выращенного методом Чохральского слабо компенсированного Si$\langle\text{In}\rangle$ на длине волны 10.6 мкм обусловлена наличием в материале $X$-центров (комплексов индия и углерода). Оценена величина сечения фотоионизации центров на ${\lambda= 10.6}$ мкм, -составляющая ${\sim 2\cdot10^{-18}\,\text{см}^{2}}$. Чувствительность приемников достигает ${5\cdot10^{-3}}$ А/Вт при напряженности тянущего электрического поля ${5\cdot10^{3}}$ В/см и быстродействии в наносекундной области, что открывает перспективы использования материала в детекторах импульсного излучения СO$_{2}$-лазеров.