А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью”, Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1,страницы 104

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью

А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов

Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы фотолюминесценция и температурная зависимость спектров фотолюминесценции сильно легированных и сильно компенсированных эпитаксиальных слоев GaSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Предложены модель примесной рекомбинации и возможная структура примесных центров.

Поступила в редакцию: 02.01.1985
Принята в печать: 01.08.1985