Температурная зависимость анизотропии термоэдс увлечения в одноосно деформированном $n$-Si

В интервале ${85\leqslant T\leqslant 355}$ K исследованы температурные зависимости термоэдс, пьезотермоэдс (${X\parallel\nabla T\parallel[001]}$, ${X=12\,000\,\text{кг}/\text{см}^{2}}$), анизотропии термоэдс ${\Delta\alpha=\alpha^{\text{ф}}_{\parallel}-\alpha^{\text{ф}}_{\perp}}$ и параметра анизотропии термоэдс увлечения ${M=\alpha^{\text{ф}}_{\parallel}/\alpha^{\text{ф}}_{\perp}}$ для кристаллов $n$-Si$\langle\text{P\rangle$} с ${n_{e}=1.75\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$.
Показано, что параметр анизотропии термоэдс увлечения ${M=\alpha^{\text{ф}}_{\parallel}/\alpha^{\text{ф}}_{\perp}}$ убывает с температурой значительно медленнее анизотропии термоэдс ${\Delta\alpha=\alpha^{\text{ф}}_{\parallel}-\alpha^{\text{ф}}_{\perp}}$ , которая во всем исследованном интервале температур значительно превышает анизотропию термоэдс лучших термоэлектрических материалов.