Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм

Проведены теоретические оценки коэффициентов излучательной и безызлучательной рекомбинации для электронно-дырочной плазмы (${\Delta n=\Delta p}$), генерированной в активной области InGaAsP/InP ДГС с различным составом активной области (${\lambda=1\div1.5}$ мкм). Теоретическое значение коэффициента излучательной рекомбинации ($B$) для невырожденного InGaAsP с ${\lambda=1.3}$ мкм составляет ${1.14\cdot10^{-10}\,\text{см}^{3}/\text{с}}$ при 300 K и уменьшается до ${8\cdot10^{-11}\,\text{см}^{3}/\text{с}}$ при переходе к пороговым концентрациям электронно-дырочной плазмы ${\Delta n=\Delta p=2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$. Рассмотрение различных типов оже-процессов указывает на то, что наиболее быстрым в исследуемом диапазоне концентраций и ${250 < T < 400}$ K является оже-процесс с участием спин-орбитально отщепленной зоны. Значения коэффициента Оже ($R$) для этого процесса слабо зависят от концентрации носителей (для ${\lambda=1.3}$ мкм ${R\simeq 3.4\cdot10^{-30}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$ при 300 K). Величина $R$ уменьшается более чем на порядок при переходе к твердым растворам с ${\lambda=1.06}$ мкм (${R=1.1\cdot10^{-31}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$ при 300 K). На основе оценок величин $B$ и $R$ для разных составов твердых растворов рассчитаны зависимости внутренней эффективности излучательных переходов от уровня возбуждения и зависимости порогов генерации от температуры, которые хорошо совпадают с экспериментальными данными, полученными при оптическом возбуждении соответствующих InGaAsP/InP ДГС.