RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1077–1084 (Mi phts1803)

Влияние флуктуаций концентрации примесей на высоту и туннельную прозрачность барьера

В. Н. Гусятников, М. Э. Райх

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: В случае, когда проницаемость барьера экспоненциально мала, а его параметры флуктуируют, проводимость барьера может определяться экспоненциально редкими областями с экспоненциально большой по сравнению с типичной проницаемостью. В работе рассмотрен пример барьера, который представляет собой тонкую $p$-область, помещенную между двумя толстыми $n$-областями. С учетом флуктуаций концентрации акцепторов в $p$-области рассчитана проводимость барьера в случаях, когда она определяется активацией (высокие температуры) и туннелированием (низкие температуры).

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 31.01.1984
Принята в печать: 08.02.1984



© МИАН, 2024