Краткие сообщения

Захват носителей в структурах изолятор–полупроводник, полученных МОС гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs

Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, В. М. Масловский, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев


УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 28.03.1985
Принята в печать: 01.11.1985