RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 6,
страницы
1124–1126
(Mi phts1820)
Краткие сообщения
Влияние эффекта переизлучения на нестационарный фотоэффект
В. В. Россин
,
В. Г. Сидоров
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
20.09.1983
Принята в печать:
10.01.1984
Полный текст:
PDF файл (426 kB)
©
МИАН
, 2024