RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1124–1126 (Mi phts1820)

Краткие сообщения

Влияние эффекта переизлучения на нестационарный фотоэффект

В. В. Россин, В. Г. Сидоров

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.09.1983
Принята в печать: 10.01.1984



© МИАН, 2024