Мессбауэровские исследования примесных атомов в полупроводниках (обзор)

Представлены данные о примесных центрах в кремнии, германии, соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$, A$^{\text{III}}$B$^{\text{VI}}$, A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$, халькогенидных стеклообразных полупроводниках, полученные с помощью мессбауэровской спектроскопии. Показано, что наряду с информацией о зарядовом состоянии примеси, ее положении в решетке образования ассоциатов с другими дефектами решетки мессбауэровская спектроскопия позволяет наблюдать и весьма тонкие эффекты, такие как изменение зарядового состояния примеси в зависимости от положения уровня Ферми и процессы быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами. Отмечается необходимость сочетания эффекта Мессбауэра с традиционными методами физики полупроводников, что позволит избежать противоречивых выводов и дать полное описание наблюдавшихся явлений.